苏州汶颢芯片科技有限公司 - 品牌介绍 技术实力雄厚     品牌质量保证
     苏州汶颢芯片科技有限公司是一家留学人员回国创业的高新科技企业，集研发、生产、销售为一体，技术力量雄厚，生产设备先进，检测手段齐全，产品质量过硬。公司建立了完备的微流控芯片研发与生产中心，配置了三条微流控芯片生产线，包括数控cnc微加工仪器，软刻蚀有机芯片加工系统，光刻-掩模无机芯片加工系统，可以加工生产所有材质的芯片，如玻璃、石英、硅、pdms和pmma等。产品涵盖集成式通用医疗诊断芯片、集成式通用环境保护分析监测芯片、集成式通用食品安全分析检测芯片和基于微流控芯片的新能源体系四大系列数十个品种，以及各类科研类芯片，并在生物芯片和化学芯片领域一直保持技术和研发的领先地位，拥有81项知识产权，其中：已申请发明专利65件、实用新型专利7件，注册商标2件，登记软件著作权7件。
 
    苏州汶颢芯片科技有限公司提供的产品和服务按市场可分为科研类芯片、仪器标配芯片、应用类芯片及系统和芯片实验室解决方案。科研类芯片服务于基于微流控芯片的科研工作者，提供包括聚二甲基硅氧烷（pdms）、聚甲基丙烯酸甲酯（pmma）、玻璃及硅基等各种不同材质的微流控芯片的设计与制备，用户只需配置必要的辅助设备即可使用；仪器标配芯片是针对国内市场上微流控芯片仪器开发的标准芯片，为微流控芯片仪器的核心组件，属耗材类产品，如毛细管电泳芯片；应用类芯片及系统是利用微流控芯片的技术优势开发的分析检测装置，应用于环保、食品安全、药物筛选等领域；芯片实验室解决方案为客户提供完整的一对一的微流控芯片科研或应用的解决方案，分为产品和科技咨询两个方面：产品包括微流控芯片加工、检测仪器设备配置及微流控芯片配件配置；科技咨询为客户提供组建芯片实验室的整体方案、解决微流控芯片应用中的技术难题、微流控芯片项目研发服务等。 
 
　　苏州汶颢芯片科技有限公司总部设在苏州市工业园区方洲路128号中国科学院纳米产业化基地，在北京、天津、上海等地设立了分公司。公司现有员工20多人，均有本科以上学位，其中研发人员8人，中高级职称10人，具有博士学位人员5人，其中4人有海外学习和工作背景，2人具有mba学历，1人具有国家注册会计师资格。 
 
　　按照现代公司制度规范运作企业是公司创办伊始就秉承的基本理念，目前，公司的团队结构、人事制度、财务制度、知识产权制度等都已经逐步形成和完善。公司的口号：高品质、高信誉、高效率。公司的宗旨：以发明创新为龙头，以科技成果转化为手段，以微流控芯片领域为主战场，走科研成果商品化，商品产业化，产业规模化和国际化的道路，以自主创新的核心技术为基础的竞争战略为企业长期发展战略，整合产业链的各项优势资源，打造以自主创新为企业特色的产业价值链，塑造民族品牌，迎接国际化的挑战。
 
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公司建立了完备的微流控芯片研发与生产中心，配置了三条微流控芯片生产线，包括数控cnc微加工仪器，软刻蚀有机芯片加工系统，光刻-掩模无机芯片加工系统，可以加工生产所有材质的芯片，如玻璃、石英、硅、pdms和pmma等。产品涵盖集成式通用医疗诊断芯片、集成式通用环境保护分析监测芯片、集成式通用食品安全分析检测芯片和基于微流控芯片的新能源体系四大系列数十个品种，以及各类科研类芯片，并在生物芯片和化学芯片领域一直保持技术和研发的领先地位，拥有81项知识产权，其中：已申请发明专利65件、实用新型专利7件，注册商标2件，登记软件著作权7件。
 汶颢芯片su-8系列光刻胶是汶颢芯片与中科院化学研究所共同开发的国内第一款厚胶，完全可以替代microchemsu-8光刻胶系列，其已被国内多家科研院所使用，得到广泛的一致好评。
 新型的化学增幅型负像su-8光刻胶克服了普通光刻胶采用uv光刻深宽比不足的问题，十分适合于制备高深宽比微结构，因此su-8胶是一种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶。它在近紫外光(365nm-400nm)范围内光吸收度很低，且整个光刻胶层所获得的曝光量均匀一致，可得到具有垂直侧壁和高深宽比的厚膜图形;它还具有良好的力学性能、抗化学腐蚀性和热稳定性;su-8在受到紫外辐射后发生交联，是一种化学扩大负性胶，可以形成台阶等结构复杂的图形;且su-8胶不导电，在电镀时可以直接作为绝缘体使用。由于它具有较多优点，su -8胶正被逐渐应用于mfms、芯片封装和微加工等领域。直接采用su-8光刻胶来制备深宽比高的微结构与微零件是微加工领域的一项新技术。su-8光刻胶的光刻工艺
 将su-8光刻胶组分旋涂在基材上，施涂厚度几至几百微米。涂覆晶片随后在95摄氏度下干燥20分钟并随后冷却至室温。然后，将负光掩模与涂覆晶片接触并将所得组件用来自汞灯的紫外辐射在剂量250mj/cm2，下进行成像方式曝光。然后，通过在95摄氏度下加热曝光晶片10分钟而进行热处理，或曝光后烘烤。浮雕图像随后通过将晶片在显影液中浸渍10分钟随后用水漂洗和在空气中干燥而显影。
膜厚与曝光时间关系表格
厚度/微米曝光时间（min）1~400.75~345~753~580~1106~15115~15015~20160~22520~30
膜厚与前烘时间关系表
厚度前烘时间（min）微米65℃95℃0.5-2  13-5  1-26-15 2-316-25 3-425-400-35-645-800-36-985-5-2255-730-45  
膜厚与后烘时间关系表
厚度后烘时间(min)微米65℃95℃0.5-2  1-23-5  2-36-15 3-416-25 4-525-4085-225512-15
膜厚与显影时间关系表格
厚度/微米显影时间（min）25~401~345~752~580~1102~7115~1503~9160~2254~15  
 
 
 

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苏州汶颢芯片科技有限公司
张女士
18136775672
苏州工业园区方洲路128号